光電子薄膜分為：導(dǎo)電薄膜(金屬導(dǎo)電膜、透明導(dǎo)電ITO薄膜)；光電導(dǎo)薄膜(CdS與CdSe薄膜、α-Si:H薄膜)；電致發(fā)光薄膜(ZnS:Mn薄膜、有機(jī)電致發(fā)光薄膜)；電致變色薄膜(WO3薄膜)；液晶薄膜。

　　導(dǎo)電薄膜在光電子薄膜器件以及集成電路中的應(yīng)用十分廣泛，它是主要的電極薄膜、導(dǎo)線薄膜。一般對(duì)電極薄膜的要求是：

1、導(dǎo)電性好，方電阻小；2、與基片或前層薄膜的附著力好；

2、與基片或前層薄膜的附著力好；

3、接觸電阻小；

4、容易進(jìn)行微細(xì)加工；

5、具有良好的焊接性能；

6、穩(wěn)定性好.

金屬導(dǎo)電薄膜：

特點(diǎn)：良好的導(dǎo)電性能，反射率高

材料：金、鋁、銀

金：蕞理想的導(dǎo)電特性，可見區(qū)吸收大，遠(yuǎn)紅外高反射，基板的附著性較差；銀：可見區(qū)具有很高的反射率，導(dǎo)電性好，與基板的附著力較差：

鋁：可見區(qū)有較高的反射率，導(dǎo)電性良好，與基板的附著性較好.

透明導(dǎo)電薄膜(ITO)：

透明導(dǎo)電薄膜因同時(shí)具有可見光譜范圍內(nèi)透明和良好的導(dǎo)電性而廣泛地應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域：窗口的透明隔熱薄膜、透明電極等.

近年來各種氧化物半導(dǎo)體薄膜受到重視，其中蕞具有代表性的是In2O3·SnO2薄膜，簡稱ITO薄膜(Indium tin oxide)。

In2O3和SnO2屬于氧化物半導(dǎo)體，具有類似于半導(dǎo)體的性質(zhì)，在In2O3中摻入少量的SnO2，可使電導(dǎo)性能得到改善。

ITO薄膜的特性：

1、ITO薄膜中的SnO2含量一般為8-9%;

2、ITO薄膜的電阻率隨膜厚增加而減小；

3、In2o3的禁帶為4eV,吸收邊在310m附近，摻雜后吸收邊長移，般但紫外區(qū)；4、透明區(qū)，光子的能量不足以使價(jià)電子子激發(fā)，雜質(zhì)、載流子吸收和散射損耗；5、ITO薄膜的制備：濺射法、CVD法、反應(yīng)蒸發(fā)法：

電子束：200℃-300℃、2-3nm/min、充氧1.3*10-Pa、100-200nm6、影響電阻率和透射率：基板溫度、蒸發(fā)速率、膜厚、老化。